Vichujio vya Kina vya Kufunga Uso vya IGS vya Kinachofaa kwa Mifumo ya Gesi ya Semiconductor Iliyo Safi Sana

Vichujio vya Kina vya Kufunga Uso vya IGS vya Kinachofaa kwa Mifumo ya Gesi ya Semiconductor Iliyo Safi Sana

Maelezo Mafupi:


  • Chapa:HENGKO
  • Jina la Kichujio:Kichujio cha C-Seal cha Kuweka Uso cha IGS
  • Nyenzo:SS 316L
  • Kiwango cha mtiririko:10 ~ 120 SLPM
  • Kiwango cha juu cha halijoto ya uendeshaji:460°C
  • Ukubwa wa kuondoa chembe:> 0.003 μm
  • Maelezo ya Bidhaa

    Lebo za Bidhaa

    Maelezo

    Vichujio vya HENGKO Surface Mount vimeundwa ili kukidhi mahitaji makubwa ya mifumo jumuishi ya gesi inayotumika katika zana za OEM za nusu-semiconductor. Vikiwa na uchujaji unaoongoza katika tasnia kwa 0.003 µm, vichujio hivi vinahakikisha utendaji na uaminifu wa kipekee na ufanisi wa kukatiza chembe wa ≥99.9999999% (9-LRV) kwa 120 slpm.

    Zimejengwa kwa poda imara ya chuma cha pua ya lita 316 iliyochomwa kwa ajili ya kipengele cha kichujio na makazi, vichujio hivi vinatii vipimo vya SEMI F86-0304, vikiwa na vipengele vya milango miwili vilivyoundwa kwa ajili ya mifumo ya usambazaji wa gesi ya inchi 1.125 yenye usanidi wa muhuri wa C. Vinaunga mkono shinikizo la juu la kuingiza la MPa 3.4 kwa 100°C na tofauti ya juu ya shinikizo la uendeshaji la MPa 0.69 kwa 100°C.

    Vichujio hivi maalum, vinavyoendana na vipimo vya muhuri wa aina ya C na aina ya W, hufikia usafi wa chini kwa kutolewa kwa chembe za

    Na umaliziaji wa uso wa Ra< 1.6 µm kwa nje na Ra< 0.13 µm ndani, zimeundwa kuhimili halijoto ya juu hadi 460°C. Zikiwa zimeundwa kwa ajili ya ujumuishaji rahisi na uboreshaji wa muundo wa moduli, vichujio hivi hurahisisha usakinishaji na matengenezo, na kusaidia kuboresha utendaji wa mfumo katika matumizi ya uwasilishaji na udhibiti wa gesi ya nusu nusu.

     

    Kipengele cha Bidhaa

    ▶ Ujenzi wa jumla wa chuma cha pua cha lita 316
    ▶ Ubunifu mdogo, muundo mdogo, unaookoa nafasi
    ▶ Sifa bora za uingizwaji wa gesi na uondoaji wa maji mwilini
    ▶ Halijoto ya juu, shinikizo la juu, na sugu kwa kutu
    ▶ Nyumba ya chuma cha pua ya lita 316 iliyong'arishwa kwa umeme
    ▶ Usakinishaji na matengenezo rahisi na yenye ufanisi
    ▶ Kuziba kwa mitambo, bila kulehemu kimuundo kwenye vyombo vya habari

     

    Vichujio vya Muhuri wa C wa IGS vya Utendaji wa Juu kwa Mifumo ya Uwasilishaji wa Gesi ya Semiconductor

     

    Karatasi ya data

    Vigezo vya Kiufundi Thamani
    Nyenzo ya Kipengele cha Kichujio Poda ya Chuma cha pua ya 316L
    Nyenzo ya Nyumba Chuma cha pua cha lita 316
    Shinikizo la Juu la Kuingiza 3.4 MPa katika 100°C
    Tofauti ya Uendeshaji ya Juu Zaidi 0.69 MPa katika 100°C
    Kiwango cha Uvujaji wa Uthibitishaji wa Heliamu 1x10⁻¹¹ cc/dakika
    Kiwango cha Uvujaji wa Jaribio la Heliamu 1x10⁻⁹cc/dakika
    Matibabu ya Uso Uso wa Nje Ra< 1.6 μm
      Uso wa Ndani Ra< 0.13 μm
    Kiwango cha Juu cha Uendeshaji 460°C
    Ufanisi wa Kukamata Chembe ≥99.9999999% (9-LRV) @ 120 slpm (Rejeleo la MPPS, chembe zote)
    Usafi wa Chini Kutolewa kwa Chembe:< 0.03 chembe/lita (< chembe 1/futi³)
      Vigumu:Unyevu wa
    Ukubwa wa Kukamata Chembe ≥0.003 μm
    Kipindi cha Mtiririko 0 ~ 120 slpm

     

    Ukubwa

    ukubwa wa Vichujio vya Kuweka Uso

    Hapa kuna nambari ya sehemu unayoweza kuagiza na maelezo ya ukubwa:

    Mfano wa Bidhaa Kiwango cha Mtiririko Urefu H (mm) Usahihi wa Uchujaji Kiwango cha Usafi
    Z01B-00637 10 slpm 51.6 0.003 μm C
    Z01B-00638 40 slpm 82.9 0.003 μm C
    Z01B-00687 80 slpm 126.2 0.003 μm C
    Z01B-00688 120 slpm 167.9 0.003 μm C

     

    Matumizi ya Kawaida

    Kwa matumizi na W-seal na C-seal, mifumo ya utoaji gesi ya moduli ya inchi 1.125 na inchi 1.5 inayowekwa juu ya uso.

     

    Vichujio vya IGS vya Kufunga Uso kwa Kichujio cha Muhuri C cha Chini Mifumo ya Uwasilishaji wa Gesi kwa Semiconductor

     

    Tutumie ujumbe wako:

    Andika ujumbe wako hapa na ututumie


  • Iliyotangulia:
  • Inayofuata:

  • Bidhaa Zinazohusiana